由于绝缘栅，输入有rgs。当然，源极和漏极之间的电容效应是Cgs。对于结型场效应晶体管rgs，很大> 10 ^ 7欧姆，Cgs为1 ~ 10pf 1pf=10-12f。对于绝缘栅场效应晶体管，rgs大于10 ^ 9欧姆，Cgs为1 ~ 10pf。

当然dg之间也有电容效应，所以ds之间会有Cdg和一个受控电流源gmUgs。对于结型场效应晶体管，Cdg为1 ~ 10pf，gm为0.1~10ms。对于绝缘栅场效应晶体管，Cdg也是1 ~ 10pf，gm是0.1 ~ 20ms.

再看图中的CD和rds。对于结型场效应晶体管，电阻rds为10 5欧姆，Cds为0.1~10pF。对于绝缘栅场效应晶体管，电阻rds为10 ^ 4欧姆，Cds为0.1~10pF。

因为rgs和rds更大，又因为Cds更小，等效电路可以省略变成下图。

Cgs'=Cgs+(1-k)Cdg

Cds'=CDs+(k-1)/k cdg

K=-gmRL '

因为CDs '很小(CDs' <

上图是场效应晶体管的高频等效电路图，比中频时更CG，中频时gS之间有开路。

先说共源放大器电路的频率响应。

如图所示

将C1C2CS短路变成如下所示。

auh=-gmUgs(RDRL)/ugs

RG1RG2 (1/jCgs ')/Rs+RG1RG2 (1/jCgs ')

=aum(RG '/jCgs ' RG '+1)/Rs+(RG '/jCgs ' RG '+1)

=AumRG'/jCgs'RG'Rs+(Rs+RG ')

=AumRG '/[1j(RG 'RS)Cgs ']=AumRG '/(1+j/h)

=AumRG'/(1 jf/fH)

h=1/(RG 'Rs)xCgs '

这里rg '=Rg1Rg2

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